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41st Design Automation Conference
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LSI製造技術の展示．
（富士通）
90nmプロセスで製造されたLSIのウェハ．
今回のDACでは，90nmプロセス（そして将来の65nmプロセス）のLSI設計における問題やその解決策に注目が集まった．例えば，リーク電流の増大による消費電力問題，信号遅延に対応するレイアウト技術，製造歩留まりの改善技術，設計規模の増大に対応するための高位合成ツールやIPコア活用技術などである．
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