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入出力ピン当たりのデータ転送速度が8Gbpsときわめて高いインターフェース技術「XDR2」を開発中であることを公表した.
XDR2技術によるデータ転送速度は,入出力ピン当たり8Gbpsときわめて高い.×16ビット構成のDRAMにXDR2技術を導入すれば,16Gバイト/sものデータ転送を実現できることになる. Rambus社が開発した現行のXDRインターフェースは,主に,以下の三つの要素技術で構成される.
これに対してXDR2インターフェースでは,システム・クロックの16倍の周波数でデータを転送する.システム・クロックが500MHzのとき,XDRインターフェースではデータ転送周波数が4GHzになるのに対し,XDR2インターフェースでは8GHzと,XDRの2倍に増える(写真2).
システム・クロック周波数が500MHzの場合を比較した.データ転送周波数はXDRインターフェースが4GHz,XDR2インターフェースが8GHzとなる.また,XDR2のメモリ・コントローラはXDRに対して上位互換を維持する.
また,DRAMのコア部とインターフェース部でデータをやり取りする方式を変える.現行のXDR DRAMでは,コア部を8バンクに分け,二つのバンクから同時にデータをアクセスしていた.XDR2 DRAMでは8バンクの各バンクを奇数バンクと偶数バンクに分ける.そして二つの奇数バンクと二つの偶数バンクから交互にデータをアクセスする.列(コラム)アクセスの速度が高まるとともに,1回にアクセスするデータの単位が小さくなる.この方式を「マイクロスレッディング(Micro-threading)」とRambus社は呼んでいる.
(a)のように信号の低周波成分の利得(図中では伝達関数)を下げ,高周波側の信号ひずみを減らす.この結果,信号ひずみの少ない(b)のようなアイ・パターンが得られる.
メモリとコントローラ間の遅延時間を補正する技術「FlexPhase」を,動作中にも適用する.
●XDR DRAMモジュールを実際に動かす 現行のXDR技術を導入したDRAM(XDR DRAM)は,現在,東芝,エルピーダメモリ,韓国Samsung Electronics社の3社が製品を出荷中である(写真5).いずれも単体のDRAMであり,メイン・メモリを想定したモジュール製品はまだ登場していない.
左から東芝の512Mビット品,エルピーダメモリの512Mビット品,韓国Samsung Electronics社の512Mビット品.これらの3社はRambus社からXDR技術のライセンスを受けて,DRAMを開発・製品化している.Rambus社は技術開発企業であり,半導体製品は製造しない.
XDR DRAMモジュールを2個搭載できる主記憶の構成図.ソケットをあらかじめ2個装着しておく.1個のDRAMモジュールだけを搭載するときは,空いたソケットにダミー基板を差し込む必要がある.
左側に2個のソケットがあり,モジュールを差し込めるようになっている.左側のソケットにはダミー基板が,右側のソケットにはXDR DRAMモジュールが装着されている.中央の黒い箱はXDRメモリ・コントローラを内蔵したASIC.
入出力ピン当たり3.2Gbpsの速度でデータを転送できている.
緑色の領域が正常に動作したことを示す.規定の電源電圧である1.8Vのとき,4.8Gbpsで動かすことができた.電源電圧を2.1Vに上げると,6.4Gbpsで動作できることが示されている.
●PCI Expressシステムの開発支援用計測器が続々 このほか,展示ブースでは,PCI Expressバス・システムの開発を支援する計測器のデモンストレーションが目立っていた. レクロイ・ジャパンは,16レーンのPCI Expressバスに対応したエキササイザ「PETrainer EML」とプロトコル・アナライザ「PETracer EML」を展示した.米国LeCroy社は2004年10月に,バス・アナライザ・メーカのCATC(Computer Access Technology Corporation)を買収している.これらはいずれも,旧CATCの製品である. また,日本テクトロニクスは,PCI Expressバスのコンプライアンス・テストに対応したソフトウエア「TDSRT-Eye 2.0」をディジタル・ストレージ・オシロスコープ「TDS6154C」に組み込み,動作の実演を行った.「最近,コンプライアンス・テストの規格が一部変更された.そこで,規格変更に対応するソフトウェアを展示した」(展示ブースの説明員).
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