ICEMOS,耐圧が600〜650V,ｵﾝ抵抗が0.16〜0.37ΩのﾊﾟﾜｰMOSFETを発売,ｵﾑﾛﾝのMEMSﾌﾟﾛｾｽを利用して製造
米国ICEMOS TECHNOLOGY社は,高耐圧,低ｵﾝ抵抗のﾊﾟﾜｰMOSFETﾌｧﾐﾘ｢ICEMOS MEMS MOSFET｣4品種を発売した．ﾄﾞﾚｲﾝ-ｿｰｽ間の耐圧は600〜650V,最大ﾄﾞﾚｲﾝ電流は10〜20A,ｵﾝ抵抗は0.160〜0.370Ω．力率改善回路やLEDﾄﾞﾗｲﾊﾞ,高輝度放電ﾗﾝﾌﾟの安定器,自動車用ｷｾﾉﾝ･ﾍｯﾄﾞﾗﾝﾌﾟの安定器,電気自動車のDC-DCｺﾝﾊﾞｰﾀ,太陽光発電のﾊﾟﾜｰ･ｺﾝﾃﾞｨｼｮﾅ,ﾃﾞｰﾀ･ｾﾝﾀのAC-DC電源などに利用できる．
本ﾊﾟﾜｰMOSFETはｽｰﾊﾟ･ｼﾞｬﾝｸｼｮﾝ構造を採る．MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術を利用して深い溝(ﾄﾚﾝﾁ)を掘り,その側壁にｲｵﾝを注入･拡散してP型領域とN型領域を形成する(単相ｴﾋﾟﾀｷｼｬﾙ)．ﾄﾚﾝﾁの深さは40μm〜50μm,幅は3μm．高耐圧に必要となる膜厚までP相とN相を数回積み上げていく多層ｴﾋﾟﾀｷｼｬﾙ成長方式と比べて,電源回路を高性能化,小型化,低消費電力化しやすいという．
製造およびMEMSﾌﾟﾛｾｽの開発はｵﾑﾛﾝが担当する．ｳｪﾊの大きさは200mm．
■価格
下記に問い合わせ
■連絡先
ｱｲｽﾓｽ･ﾃｸﾉﾛｼﾞｰ･ｼﾞｬﾊﾟﾝ株式会社
TEL:03-3491-2100
(c)2011 CQ出版