組み込みﾆｭｰｽ2009.11.10

Numonyx,Intelと共同開発した積層型相変化ﾒﾓﾘの詳細を12月のIEDMで発表

　ｽｲｽNumonyx社は,事業戦略に関する説明会を2009年11月6日に都内で開催した．同社の社長兼最高経営責任者(President & Chief Executive Officer)であるBrian Harrison氏が製品戦略,ﾌﾗｯｼｭROMの市場概況,同社のｸﾞﾛｰﾊﾞﾙ戦略,および日本市場における取り組みについて説明した．

　その中で,同社が2009年10月29日にIntel社との共同開発を発表した積層型の相変化ﾒﾓﾘ(PCM:Phase Change Memory)の概要を紹介した．相変化ﾒﾓﾘとは,結晶構造を変化させることによって情報を記録する不揮発ﾒﾓﾘである．従来のﾌﾗｯｼｭROMよりも読み出し/書き込み速度が速いという特徴がある．同社では2008年2月より128Mﾋﾞｯﾄ品のｻﾝﾌﾟﾙ出荷を開始している．

　積層型の相変化ﾒﾓﾘの技術の詳細は,2009年12月9日に米国ﾒﾘｰﾗﾝﾄﾞ州Baltimoreで開催されるIEDM(International Erectron Device Meeting)にて発表する．また,書籍｢Stackable Cross Point Phase Change Memory｣として出版される予定．同氏によると,積層型の技術を実用化できるまでにあと数年かかるという．

　ﾌﾗｯｼｭROMの市況については,昨今の長期的な景気後退に伴って,供給会社の市場撤退などに起因する受給ﾊﾞﾗﾝｽの不均衡が発生しているものの,2009年2月ころから徐々に回復してきているという．同社では,携帯機器向けと組み込み機器向けの市場に注力しており,2009年第2四半期はNOR型ﾌﾗｯｼｭROM市場のｼｪｱで1位,ﾌﾗｯｼｭROM市場全体で3位になったという．

　ｲﾀﾘｱやｲｽﾗｴﾙに保有する自社ﾌｧﾌﾞの製造技術を強化する一方で,同社は韓国Hynix社との中国での合弁事業を進めている．また,ｴﾙﾋﾟｰﾀﾞﾒﾓﾘとはﾌｧｳﾝﾄﾞﾘ契約を結んでいる．このように設備投資へのﾘｽｸや市場の急激な需要の増減に対応し,堅実に資産を活用していくことを説明した．

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