組み込みﾆｭｰｽ2008.12.25

Numonyx,41nmﾌﾟﾛｾｽで製造するNAND型ﾌﾗｯｼｭ･ﾒﾓﾘ製品群を発売

　ｽｲｽNumonyx社は,41nmﾌﾟﾛｾｽで製造するNAND型ﾌﾗｯｼｭ･ﾒﾓﾘ製品群を発売する．16Gﾋﾞｯﾄ～32GﾋﾞｯﾄのNAND型ﾌﾗｯｼｭROMを内蔵したﾏﾙﾁﾁｯﾌﾟ･ﾓｼﾞｭｰﾙや,2Gﾊﾞｲﾄ～32GﾊﾞｲﾄのeMMC(embedded Multi Media Card),2Gﾊﾞｲﾄ～8GﾊﾞｲﾄのmicroSDｶｰﾄﾞなどである．携帯電話やﾊﾟｰｿﾅﾙ･ﾅﾋﾞｹﾞｰｼｮﾝ･ｼｽﾃﾑ,家電機器などに搭載し,大容量の静止画や動画の保存を可能にする．

　eMMCについてはJEDEC規格であるeMMC version 4.3に準拠する．通常MMCはｽﾛｯﾄに挿入して使用するが,eMMCは基板上に実装して使用可能．八つの32GﾋﾞｯﾄNAND型ﾌﾗｯｼｭROMに加えて,専用ｺﾝﾄﾛｰﾗを搭載する．動作温度範囲は-25℃～+85℃．電圧電源は1.7V～1.95Vと2.7V～3.6Vに対応する．2009年1月からｻﾝﾌﾟﾙ出荷を開始する予定．

　併せて,同社はｳｪｱ口径が300mmの製造ﾗｲﾝへの移行が完了したことも発表した．300mmｳｪﾊ,48nmﾌﾟﾛｾｽのﾗｲﾝを利用して製造した1GﾋﾞｯﾄのSLC(Single Level Cell)方式NAND型ﾌﾗｯｼｭROMには,128KﾊﾞｲﾄのOTP(One-Time Programmable)ﾌﾞﾛｯｸを実装できる．OTPとは1回のみﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑできる領域のことで,製品個別IDやｼﾘｱﾙ番号などを格納する．ｾｷｭﾘﾃｨ関連のﾃﾞｰﾀをﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑする際に使用し,悪質な攻撃やﾃﾞｰﾀの改変などから保護する．また,ﾃﾞｰﾀ読み取り速度は26Mﾊﾞｲﾄ/s．90nmﾌﾟﾛｾｽで製造したﾌﾗｯｼｭROMと比較した場合,書き込み処理は4倍,消去処理は8倍速いという．ﾒﾓﾘの長寿命化を支援するため,ｱﾄﾞﾚｽ空間528ﾊﾞｲﾄごとに1ﾋﾞｯﾄの標準ECC(Error Checking and Correcting)を備える．2008年12月からｻﾝﾌﾟﾙ出荷を開始する予定．

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