IBMなど7社,32nm世代のHigh-kﾒﾀﾙ･ｹﾞｰﾄ技術を利用したLSIの試作を完了,評価ｷｯﾄの提供を開始
米国IBM社など7社は,32nm世代のHigh-kﾒﾀﾙ･ｹﾞｰﾄ(高誘電率ｹﾞｰﾄ絶縁膜)技術を利用したLSIの試作と動作確認を完了した．IBM社の持つ45nm世代のPolySiON技術で製造した場合と比較して,動作速度が最大35%向上し,消費電力が30〜50%低減することを確認した．
2008年4月4日より,評価ｷｯﾄの提供を開始している．評価ｷｯﾄには,ﾃｸﾉﾛｼﾞ設計ﾏﾆｭｱﾙ,設計および電気的特性確認ﾙｰﾙ,Spiceﾓﾃﾞﾙなどが含まれる．試作ｻｰﾋﾞｽ(いわゆるｼｬﾄﾙ便)の第1回のﾃｰﾌﾟｱｳﾄは2008年9月30日に,第2回は2008年12月15日に行う予定．第1回の予約については,すでに満員状態になっているという．
今回の共同開発に参加しているのは,IBM社のほか,ｼﾝｶﾞﾎﾟｰﾙChartered Semiconductor Manufacturing社,米国Freescale Semiconductor社,ﾄﾞｲﾂInfineon Technologies社,韓国Samsung Electronics社,STMicroelectronics社,東芝である．従来,ｹﾞｰﾄ絶縁膜の材料としてSiO2が利用されてきたが,ﾘｰｸ電流の増加に伴って,微細化(ｹﾞｰﾄ絶縁膜の薄型化)に限界が来ていた．これに対してHigh-k材料を用いれば,ｹﾞｰﾄ絶縁膜を厚くできる．そのため,本技術は22nm世代のLSI製造にも適用可能．また,High-kﾒﾀﾙ･ｹﾞｰﾄ技術には,従来のCMOS製造ﾌﾟﾛｾｽを変更することなく,そのまま活用できるという利点もある．
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