Samsung,32GﾋﾞｯﾄのNAND型ﾌﾗｯｼｭ･ﾒﾓﾘを開発
韓国Samsung Electronics社は,40nmのﾌﾟﾛｾｽで製造する32GﾋﾞｯﾄのNAND型ﾌﾗｯｼｭ･ﾒﾓﾘを開発したと発表した．2008年から量産を開始する予定．
このﾌﾗｯｼｭ･ﾒﾓﾘは,同社のCharge Trap Flash(CTF)技術を用いた最初の製品である．CTF技術では,ﾀﾝﾀﾙ,酸化ｱﾙﾐﾆｳﾑ,窒化物,酸化物,ｼﾘｺﾝから構成されるTANOS(TaN/Al203/Nitride/Oxide/Silicon)構造を採用．この技術を用いると,ｾﾙ間のﾉｲｽﾞ･ﾚﾍﾞﾙが減少し,ﾌﾗｯｼｭ･ﾒﾓﾘの信頼性が向上するという．
同社では従来,東芝が開発したﾌﾛｰﾃｨﾝｸﾞ･ｹﾞｰﾄ技術を用いていた．ﾌﾛｰﾃｨﾝｸﾞ･ｹﾞｰﾄ技術では,制御ｹﾞｰﾄにﾎﾟﾘｼﾘｺﾝを採用しているが,CTF技術では窒化ﾀﾝﾀﾙを使用している．そのため,ﾌﾛｰﾃｨﾝｸﾞ･ｹﾞｰﾄ技術を用いた場合に比べて,ｻｲｽﾞが20%ほど小さくなるという．
■連絡先
Samsung Electronics社
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