組み込みﾆｭｰｽ2006.7.7

NECｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽとNEC,論理LSIと大容量ﾒﾓﾘLSIの間で100Gbpsのﾃﾞｰﾀ転送を実現できるSiP技術を開発

　NECｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽとNECは,同一ﾊﾟｯｹｰｼﾞ内の二つのLSIの間で,100Gbpsのﾃﾞｰﾀ転送を実現できるSiP(ｼｽﾃﾑ･ｲﾝ･ﾊﾟｯｹｰｼﾞ)技術｢SMAFTI｣を開発した．二つのLSI,例えばﾌﾟﾛｾｯｻLSIとﾒﾓﾘLSIの間に厚さ15μmのﾎﾟﾘｲﾐﾄﾞ樹脂のｲﾝﾀｰﾎﾟｰｻﾞを挟む．ｲﾝﾀｰﾎﾟｰｻﾞ上に幅15μm,線間10μmの配線を形成し,ここにBGAはんだﾎﾞｰﾙを実装する．二つのLSIどうしは,ｲﾝﾀｰﾎﾟｰｻﾞを介してﾊﾞﾝﾌﾟ(微細な突起電極,ここでは50μmﾋﾟｯﾁ)によって接続されることになる(図1)．従来のSiP技術では,複数のﾁｯﾌﾟがﾜｲﾔで接続されたり,ﾁｯﾌﾟが横置きに並べられて配置されることが多く,そのためﾁｯﾌﾟ間の通信速度に制限があったり,ﾊﾟｯｹｰｼﾞ面積が大きくなるなどの問題があった．

　｢SMAFTI｣技術は,熱膨張係数の異なるｼﾘｺﾝと樹脂基板を接続する従来の方法と比べて信頼性が高く,微細な加工を行いやすくなった．これにより,同一ﾁｯﾌﾟ面積上に従来の4倍のﾊﾞﾝﾌﾟを形成でき,従来の10倍以上の通信速度を実現できたという．この技術を使ったSiPを利用すれば,大きさや消費電力に制限のある携帯機器でも,ﾊｲﾋﾞｼﾞｮﾝ並みの高精細な動画像が扱えるようになる．製品化は2007年第1四半期の予定．

■連絡先
NECｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽ　先端ﾃﾞﾊﾞｲｽ開発事業部
TEL:042-771-0902