Intel,組み込み機器向けに最大1Gﾋﾞｯﾄのﾌﾗｯｼｭ･ﾒﾓﾘを発売
米国Intel社は,64Mﾋﾞｯﾄ〜1Gﾋﾞｯﾄのﾌﾗｯｼｭ･ﾒﾓﾘ｢Intel StrataFlash ｴﾝﾍﾞﾃﾞｯﾄﾞ･ﾒﾓﾘ(P30)｣を発売する．ﾊﾞｽ幅は16ﾋﾞｯﾄ．ﾒﾓﾘ･ｾﾙのｱｰｷﾃｸﾁｬはNOR型．1ﾒﾓﾘ･ｾﾙ当たり2ﾋﾞｯﾄのﾃﾞｰﾀを記憶する多値論理技術を採用している．ﾃﾞｨｼﾞﾀﾙ･ｶﾒﾗやﾃﾞｨｼﾞﾀﾙ家電などの組み込み機器における需要を見込んでいる．
電源電圧は,ｺｱ電圧が1.7V〜2.0V,I/O電圧が1.7V〜3.6V．ﾒﾓﾘ容量が256Mﾋﾞｯﾄの品種の場合,待機時の消費電流は55μA(標準値),40MHzの同期ﾊﾞｰｽﾄ･ﾓｰﾄﾞ(4ﾜｰﾄﾞ)で読み出しを行う際の消費電流は13mA(標準値)である．非同期読み出しﾓｰﾄﾞにおけるｱｸｾｽ時間は85ns．
ﾊﾟｯｹｰｼﾞは,外形寸法が14mm×20mmの56ﾋﾟﾝTSOP,10mm×13mmの64ﾋﾟﾝBGA,8mm×10mmの88ﾋﾟﾝ･ｽﾀｯｸ型CSPの三つか迹Iぶことができる．
64Mﾋﾞｯﾄ,128Mﾋﾞｯﾄ,256Mﾋﾞｯﾄ,512Mﾋﾞｯﾄの品種は2005年第2四半期から,1Gﾋﾞｯﾄの品種は同年後半から出荷を開始する．
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