組み込みﾆｭｰｽ2003.6.18

東芝,SOI基板にDRAMｺｱを組み込むためのﾒﾓﾘ･ｾﾙ技術を開発

　東芝は,SOI(silicon on insulator)基板にDRAMｺｱを組み込むためのDRAMﾒﾓﾘ･ｾﾙ技術｢FBC(Floating Body Cell)｣を開発した．同社は,本ﾒﾓﾘ･ｾﾙ技術の動作原理と回路技術を実証するためにﾃｽﾄ･ﾁｯﾌﾟを試作した．96kﾋﾞｯﾄのAMD(array diagnostic monitor)回路を作成したところ,ｱﾚｲ･ｱｸｾｽ時間は36ns,ﾃﾞｰﾀ･ｽｲｯﾁﾝｸﾞ時間は30ns,電荷保持時間は500ms(85℃の場合)だった．

　従来のDRAMｾﾙには,ﾊﾞﾙｸ基板上に電荷を蓄えるためのｷｬﾊﾟｼﾀと,ｽｲｯﾁﾝｸﾞするためのMOSﾄﾗﾝｼﾞｽﾀが形成されている．一方,本ﾒﾓﾘ･ｾﾙでは,SOI基板上に形成されたMOSﾄﾗﾝｼﾞｽﾀのﾌﾛｰﾃｨﾝｸﾞ(浮遊状態の)ﾎﾞﾃﾞｨに電荷が蓄積される．このMOSﾄﾗﾝｼﾞｽﾀがｽｲｯﾁﾝｸﾞ素子と記憶素子の二つの役割を果たす．これによって,ﾒﾓﾘ･ｾﾙの面積を,ﾊﾞﾙｸ基板に形成する場合の約1/2にできたという．また,本ﾒﾓﾘ･ｾﾙは従来のｼｽﾃﾑLSIの製造ﾌﾟﾛｾｽを利用して形成することが可能である．

　同社は,2006年以降に本ﾒﾓﾘ･ｾﾙを製品に適用する予定．

■連絡先
株式会社東芝