組み込みﾆｭｰｽ2002.12.10

ｼｬｰﾌﾟ,2個のﾌﾗｯｼｭ･ﾒﾓﾘと1個のSRAMを1ﾊﾟｯｹｰｼﾞに封止した1.8V動作の携帯電話向けﾒﾓﾘを発売

　ｼｬｰﾌﾟは,2個のﾌﾗｯｼｭ･ﾒﾓﾘと1個のSRAMを1ﾊﾟｯｹｰｼﾞに封止したﾒﾓﾘ･ﾓｼﾞｭｰﾙ｢LRS13A0｣を発売する．電源電圧は1.65V～1.95V．各ﾌﾗｯｼｭ･ﾒﾓﾘの容量は64Mﾋﾞｯﾄ,SRAMの容量は16Mﾋﾞｯﾄである．電源電圧が1.8Vの低電圧動作に移行しているGSM(Global System for Mobile Communications)/GPRS(General Packet Radio Service)方式携帯電話での需要を見込んでいる．

　本ﾒﾓﾘ･ﾓｼﾞｭｰﾙの動作時の消費電流は,ﾌﾗｯｼｭ･ﾒﾓﾘ,SRAMともに25mA,待機時の消費電流は,ﾌﾗｯｼｭ･ﾒﾓﾘが100μA,SRAMが10μA．また,動作電圧1.65Vのとき,ﾌﾗｯｼｭ･ﾒﾓﾘとSRAMのｱｸｾｽ時間はともに70ns．ﾊﾟｯｹｰｼﾞは72ﾋﾟﾝBGA．外形寸法は8mm×11mm×1.4mm．

　ｻﾝﾌﾟﾙ出荷の開始時期は2002年12月末,量産出荷の開始時期は2003年1月末．

■価格
10,000円(ｻﾝﾌﾟﾙ価格)

■連絡先
ｼｬｰﾌﾟ株式会社
TEL:0743-65-3481