LSI Logic,6,400万ｹﾞｰﾄの論理と100MﾋﾞｯﾄのSRAMを1ﾁｯﾌﾟに集積できる90nmﾙｰﾙのﾌﾟﾛｾｽ技術を発表
米国LSI Logic社は,6,400万ｹﾞｰﾄの論理と100MﾋﾞｯﾄのSRAMを1ﾁｯﾌﾟに集積できる90nmﾙｰﾙのﾌﾟﾛｾｽ技術｢G90｣を発表した．ｹﾞｰﾄ密度は43万ｹﾞｰﾄ/mm2,ﾒﾓﾘ密度は750Kﾋﾞｯﾄ/mm2である．6個のﾄﾗﾝｼﾞｽﾀで構成されるSRAMのﾋﾞｯﾄ･ｾﾙ･ｻｲｽﾞは0.99μm2以下になる予定．
G90では,配線ﾋﾟｯﾁが0.28μm以下になる．同社の従来品｢Gflx｣より面積を約32%小さくできる．また,ﾊｰﾄﾞ･ﾏｸﾛのﾏｲｸﾛﾌﾟﾛｾｯｻのｸﾛｯｸ周波数は最大800MHz,論理合成ﾂｰﾙとASIC(application specific integrated circuit)ﾗｲﾌﾞﾗﾘを使って生成した論理回路のｸﾛｯｸ周波数は最大533MHzである．1ｹﾞｰﾄ当たりの消費電力は2nW．ｲﾝﾊﾞｰﾀの伝播遅延時間は10ps．
内部ｺｱの電源電圧は1.0V．ﾐｯｸｽﾄ･ｼｸﾞﾅﾙ回路向けの電源電圧は1.2V．I/Oの電源電圧は5V,3.3V,2.5V,1.8V,1.5Vに対応している．すべての配線層では銅配線とlow-k材料が用いられている．配線層数は6〜10．
G90の開発は台湾TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.)と共同で行われた．そのためTSMCのもつ90nmﾙｰﾙのﾌﾟﾛｾｽ技術とG90は互換性がある．これにより,TSMCのﾌﾟﾛｾｽを使用して評価･製造したIPｺｱを,そのままLSI Logic社のﾌﾟﾛｾｽで利用できるという．
米国では,一部の顧客に対して2002年7月からG90のASICﾗｲﾌﾞﾗﾘの供給を始める．ASICやASSP(application specific standard product)の量産出荷の開始時期は2003年第2四半期．日本での量産出荷は,米国より半年ほど遅れる予定．
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