富士通研,90Gbpsの伝送速度に対応した光通信用ﾏﾙﾁﾌﾟﾚｸｻICを開発
富士通研究所は,90Gbpsの伝送速度に対応した光通信用2対1ﾏﾙﾁﾌﾟﾚｸｻICを開発した．光信号を多重するWDM(wavelength division multiplexing;波長分割多重)通信に用いられる．
本LSIは,伝送速度の半分の周波数のｸﾛｯｸ信号を使うﾊｰﾌ･ﾚｰﾄ方式を採用している．ｸﾛｯｸの立ち上がりｴｯｼﾞと立ち下がりｴｯｼﾞの両方のﾀｲﾐﾝｸﾞを利用して回路が動作する．ｶｯﾄｵﾌ周波数(高域遮断周波数)は180GHzである．
従来のﾏﾙﾁﾌﾟﾚｸｻICは,主にﾌﾙ･ﾚｰﾄ方式が使われていた．ﾄﾗﾝｼﾞｽﾀに要求されるｶｯﾄｵﾌ周波数は,伝送速度の4〜5倍が必要とされている．このため80Gbpsの通信用ICの開発は難しいと考えられていた．また,ﾊｰﾌ･ﾚｰﾄ方式は,ﾌﾙ･ﾚｰﾄ方式に比べて,回路素子数が少なくて済む．そのため,消費電力も抑えられるという．
本ICの製造では,HEMT(high electron mobility trasistor)技術を採用している．HEMTとは,ﾊﾞﾝﾄﾞｷﾞｬｯﾌﾟの異なる異種の半導体材料を用いる電界効果型ﾄﾗﾝｼﾞｽﾀである．その接合面に生じる電子層が通常の半導体より高速に動作することを利用している．0.13μmﾙｰﾙのInPﾌﾟﾛｾｽで製造する．
これとは別に,ﾌﾙ･ﾚｰﾄ方式を用いた,43Gbpsの伝送速度に対応した4対1のﾏﾙﾁﾌﾟﾚｸｻICも開発した．いずれのICも,2002年2月4日〜6日に米国ｻﾝﾌﾗﾝｼｽｺで開催されたISSCC(International Solid-State Circuits Conference)2002で発表された．
■連絡先
株式会社富士通研究所
TEL:046-250-8244
(c)2002 CQ出版