富士通研,最大発振周波数185GHzのMOSﾄﾗﾝｼﾞｽﾀを開発
富士通研究所は,最大発振周波数185GHzのMOSﾄﾗﾝｼﾞｽﾀを開発した．同社の従来製品と比べて最大発振周波数が約2倍になるという．これにより,GaAsなどの特殊な製造ﾌﾟﾛｾｽを使わなくても,数十GHzｵｰﾀﾞの高周波LSIを開発できるもよう．
今回の製品は,SOI(Si on insulator)基板を採用している．通常のｼﾘｺﾝ基板と比べて,ﾄﾗﾝｼﾞｽﾀの寄生容量を低減できる．また,DTMOS(dynamic threshold MOS)構造を採用している．一方,ｹﾞｰﾄ電極の上部にｼﾘｻｲﾄﾞを形成した後,ｱﾙﾐをはわせる構造になっている．これにより,ｼｰﾄ抵抗は0.02Ω/□(同社の従来製品の1/200)となった．ﾉｲｽﾞ比は0.8dBである．
2004年〜2005年の製品化を予定している．
■連絡先
株式会社富士通研究所
TEL:046-250-8171
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