組み込みﾆｭｰｽ2001.10.22

日立,ﾒﾓﾘ制御LSIを組み込んだ携帯機器向けAND型ﾌﾗｯｼｭ･ﾒﾓﾘを発売

　日立製作所は,AND型ﾌﾗｯｼｭ･ﾒﾓﾘ｢ﾓﾊﾞｲﾙﾒﾃﾞｨｱﾁｯﾌﾟ｣を発売する．ﾌﾗｯｼｭ･ﾒﾓﾘLSIとﾒﾓﾘ制御LSIを積層実装し,1ﾊﾟｯｹｰｼﾞに封止した．記憶容量が16Mﾊﾞｲﾄの｢HB28E016BP2｣と,同32Mﾊﾞｲﾄの｢HB28D032BP2｣の2品種を用意する．ﾃﾞｨｼﾞﾀﾙ･ｶﾒﾗやPDA,携帯電話などの携帯機器向けに開発された．

　本ﾁｯﾌﾟのﾒﾓﾘ制御回路は,ﾏﾙﾁﾒﾃﾞｨｱｶｰﾄﾞ(以下,MMC)と同じものを用いており,不良ｾｸﾀ管理や誤り訂正を行う．また,I/O部分のｲﾝﾀｰﾌｪｰｽにも,MMCに用いられているSPI(serial peripheral interface)を使用している．このため,MMCを利用する機器に本ﾁｯﾌﾟを用いた場合,ﾄﾞﾗｲﾊﾞ･ｿﾌﾄの開発が不要になる．

　本ﾁｯﾌﾟの動作電圧は2.7V～3.6V．ﾃﾞｰﾀの読み出し速度は1.7Mﾊﾞｲﾄ/s,書き込み速度は1.0Mﾊﾞｲﾄ/sである．ﾊﾟｯｹｰｼﾞは,71ﾋﾟﾝのFBGAで,外形寸法は,16Mﾊﾞｲﾄ品が11mm×9mm×1.4mm,32Mﾊﾞｲﾄ品が11mm×10mm×1.4mmである．

　ｻﾝﾌﾟﾙ出荷の開始時期は,16Mﾊﾞｲﾄ品が2001年10月23日,32Mﾊﾞｲﾄ品が同年12月．

■価格
2,400円(16Mﾊﾞｲﾄ品)
4,800円(32Mﾊﾞｲﾄ品)

■連絡先
株式会社日立製作所半導体ｸﾞﾙｰﾌﾟ
TEL:03-5201-5021