米国Intel社とSTMicroelectronics社は，携帯電話向けNOR型フラッシュ・メモリに関する共通仕様を共同で策定した．この仕様は，複数のメモリ・セルを搭載するスタック型パッケージに関するもので，電気的特性やパッケージのピン配置，外形寸法などを規定する．本仕様では，1メモリ・セル当たり2ビットのデータを記憶する多値論理技術を採用する．また，ソフトウェアにも互換性を持たせる．
90nmプロセスで製造するメモリについては，約1年半前から仕様の検討を行っていたという．両社は，本仕様をもとに開発したメモリを順次発売していく．例えば，512MビットのNOR型フラッシュ・メモリと128MビットのSDRAMを1パッケージに封止した製品は，両社ともに2006年第1四半期から量産出荷を開始する．なお，設計技術と製造プロセスはそれぞれ独自のものを利用する．
65nmプロセス品については，現在，仕様策定を進めており，45nmプロセス品については今後，仕様策定を検討するという．2006年初頭には，共通仕様にのっとり，65nmプロセスで製造した1Gバイトの1チップNOR型フラッシュ・メモリのサンプル出荷を開始するもよう．45nmプロセス品については，2008年をめどに製品化を考えているという．
本仕様は2社の独占的なものではないという．今後，ほかのNOR型フラッシュ・メモリ・メーカが希望すれば，採用してもかまわない．なお，両社はNAND型メモリや不揮発性メモリについては協業しない．
[表1] Intel社とSTMicroelectronics社の製品計画
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製品（スタック型）
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製品化時期
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| 512Mビット・フラッシュ・メモリ＋128MビットSDRAM |
2006年第1四半期
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| 512Mビット・フラッシュ・メモリ＋128Mビット疑似SRAM |
2006年第1四半期
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| 256Mビット・フラッシュ・メモリ＋64Mビット疑似SRAM |
2006年第3四半期
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| 512Mビット・フラッシュ・メモリ×2＋256MビットSDRAM |
2006年後半
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