東芝は，アクセス時間40ns〜70nsの8MビットSRAMを発売する．ビット構成や最大アクセス時間の異なる8品種を用意する．0.15μmルールのCMOSプロセスで製造する．
本製品は，外部電源電圧が1.65V〜3.6Vである．電源電圧を降圧する回路を備えている．動作時の最大消費電力は25mA〜30mA，待機時の最大消費電力は5μA〜10μAである．
パッケージはSOPとBGA．サンプル出荷の開始時期は2002年2月．量産出荷の開始時期は2002年3月．また，本製品のベアチップも供給する．ベアチップはすでにサンプル出荷を開始している．量産出荷の開始時期は2002年2月．
これとは別に，4Mビットと16Mビットの製品も2002年第2四半期に製品化する．
[写真1] 製品の外観
[表1] 主な仕様
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型名
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構成
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最大アクセス時間
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電源電圧
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最大消費電力
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パッケージ
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動作時
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スタンバイ時
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| TC55VBM316ATGN40 |
0.5Mビット×16ビット／1Mビット×8ビット
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40ns
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2.7V〜3.6V
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30mA |
10μA
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48ピンSOP（12mm×20mm）
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| TC55VBM316ATGN55 |
55ns
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25mA
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| TC55VBM316ASGN40 |
40ns
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30mA |
48ピンSOP（12mm×14mm）
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| TC55VBM316ASGN55
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55ns
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25mA |
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TC55VEM316AXGN40
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0.5Mビット×16ビット
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40ns
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2.7V〜3.6V
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30mA |
48ピンBGA（7mm×7mm）
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TC55VEM316AXGN55
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55ns
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25mA |
| TC55YEM316AXGN55 |
55ns
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1.8V〜2.2V
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30mA |
5μA
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TC55YEM316AXGN70
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70ns
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30mA |
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