東芝は，ランダム・アクセス時間が25nsと速い256MビットのFCRAM（Fast Cycle RAM）を発売した．既存のDRAM製品と比べて，ランダム・アクセス時間は1/2以下である．書き込み時のCAS（column address strobe）レイテンシを小さくしたことで，処理性能が上がり，バス効率が高くなったという．CASレイテンシとは，読み出しコマンド入力からデータ出力までのクロック数である．CASレイテンシの値が小さいほど処理性能が高い．
動作周波数やビット構成の異なる6品種を用意する．用意するビット構成は，16M×16ビットと32M×8ビット．データ転送速度は308Mbps〜400Mbps，動作周波数は154MHz〜200MHzである．
電源電圧は2.5V，入出力インターフェースはSSTL-2である．消費電力は既存のDRAM製品と比べて約30%減るという．製造プロセスの設計ルールは0.175μm．パッケージは66ピンの薄型SOP．
量産出荷の開始時期は2002年第2四半期．なお，同社は本製品を富士通と共同で開発した．
[写真1] FCRAMの外観
[表1] FCRAMの概要
|
型名
|
構成
|
動作周波数
|
データ転送速度
|
|
TC59LM806CFT-50
|
8Mワード×4バンク×8ビット
|
200MHz
|
400Mbps
|
|
TC59LM806CFT-55
|
181MHz
|
363Mbps
|
|
TC59LM806CFT-60
|
154MHz
|
308Mbps
|
|
TC59LM814CFT-50
|
4Mワード×4バンク×16ビット
|
200MHz
|
400Mbps
|
|
TC59LM814CFT-55
|
181MHz
|
363Mbps
|
|
TC59LM814CFT-60 |
154MHz
|
308Mbps
|
|
